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Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos

dc.contributor.advisorRoldán Aranda, Juan Bautista es_ES
dc.contributor.authorUrbano Mayorgas, Juan José
dc.contributor.otherUniversidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadoreses_ES
dc.date.accessioned2014-10-31T10:18:28Z
dc.date.available2014-10-31T10:18:28Z
dc.date.issued2014-10-31
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/33515
dc.description.abstractEn este trabajo se va a desarrollar un modelo de potencial de superficie para DGMOSFETs que tiene en cuenta los efectos cuánticos. Para ello se realizarán simulaciones numéricas que servirán para comparar y validar las expresiones analíticas desarrolladas, obteniendo los efectos cuánticos.es_ES
dc.description.sponsorshipUniversidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores. Máster Métodos y Técnicas Avanzadas en Física (MTAF)es_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.subjectDouble gate MOSFET (DGMOSFET)es_ES
dc.subjectMOSFETes_ES
dc.subjectTransistores de efecto de campo de puerta aisladaes_ES
dc.subjectDispositivos multipuertaes_ES
dc.titleModelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticoses_ES
dc.typemaster thesises_ES
dc.rights.accessRightsopen accesses_ES
dc.identifier.doi10.30827/Digibug.33515


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