Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos
Metadata
Show full item recordAuthor
Urbano Mayorgas, Juan JoséDirector
Roldán Aranda, Juan BautistaDepartamento
Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de ComputadoresMateria
Double gate MOSFET (DGMOSFET) MOSFET Transistores de efecto de campo de puerta aislada Dispositivos multipuerta
Date
2014-10-31Sponsorship
Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores. Máster Métodos y Técnicas Avanzadas en Física (MTAF)Abstract
En este trabajo se va a desarrollar un modelo de potencial de superficie para
DGMOSFETs que tiene en cuenta los efectos cuánticos. Para ello se realizarán
simulaciones numéricas que servirán para comparar y validar las expresiones analíticas
desarrolladas, obteniendo los efectos cuánticos.