Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos
Metadatos
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Roldán Aranda, Juan BautistaDepartamento
Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de ComputadoresMateria
Double gate MOSFET (DGMOSFET) MOSFET Transistores de efecto de campo de puerta aislada Dispositivos multipuerta
Fecha
2014-10-31Patrocinador
Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores. Máster Métodos y Técnicas Avanzadas en Física (MTAF)Resumen
En este trabajo se va a desarrollar un modelo de potencial de superficie para
DGMOSFETs que tiene en cuenta los efectos cuánticos. Para ello se realizarán
simulaciones numéricas que servirán para comparar y validar las expresiones analíticas
desarrolladas, obteniendo los efectos cuánticos.