Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos

Urbano Mayorgas, Juan José

doi:10.30827/Digibug.33515

TFM_Juan_Jose_Urbano.pdf (798.7Kb)

Identificadores

URI: http://hdl.handle.net/10481/33515

DOI: 10.30827/Digibug.33515

Exportar

Departamento

Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores

Materia

Double gate MOSFET (DGMOSFET)

MOSFET

Transistores de efecto de campo de puerta aislada

Dispositivos multipuerta

Fecha

2014-10-31

Patrocinador

Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores. Máster Métodos y Técnicas Avanzadas en Física (MTAF)

Resumen

En este trabajo se va a desarrollar un modelo de potencial de superficie para DGMOSFETs que tiene en cuenta los efectos cuánticos. Para ello se realizarán simulaciones numéricas que servirán para comparar y validar las expresiones analíticas desarrolladas, obteniendo los efectos cuánticos.

Colecciones

DETC - Proyectos Fin de Máster
Trabajos Fin de Máster