Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos

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URI: http://hdl.handle.net/10481/33515
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Auteur
Urbano Mayorgas, Juan José
Director
Roldán Aranda, Juan Bautista
Departamento
Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores
Materia
Double gate MOSFET (DGMOSFET)
 
MOSFET
 
Transistores de efecto de campo de puerta aislada
 
Dispositivos multipuerta
 
Date
2014-10-31
Patrocinador
Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores. Máster Métodos y Técnicas Avanzadas en Física (MTAF)
Résumé
En este trabajo se va a desarrollar un modelo de potencial de superficie para DGMOSFETs que tiene en cuenta los efectos cuánticos. Para ello se realizarán simulaciones numéricas que servirán para comparar y validar las expresiones analíticas desarrolladas, obteniendo los efectos cuánticos.
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