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Performance of FDSOI double-gate dual-doped reconfigurable FETs

dc.contributor.authorNavarro Moral, Carlos 
dc.contributor.authorDonetti, Luca 
dc.contributor.authorPadilla De la Torre, José Luis 
dc.contributor.authorMedina Bailón, Cristina 
dc.contributor.authorÁvila Gómez, Jorge Pablo 
dc.contributor.authorGaldón Gil, José Carlos 
dc.contributor.authorRecio Muñoz, María Isabel 
dc.contributor.authorMárquez González, Carlos 
dc.contributor.authorSampedro Matarín, Carlos 
dc.contributor.authorGámiz Pérez, Francisco Jesús 
dc.date.accessioned2022-06-27T11:38:03Z
dc.date.available2022-06-27T11:38:03Z
dc.date.issued2022-04-21
dc.identifier.citationC. Navarro... [et al.]. Performance of FDSOI double-gate dual-doped reconfigurable FETs, Solid-State Electronics, Volume 194, 2022, 108336, ISSN 0038-1101, [https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108336]es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/75684
dc.description.abstractIn this work, the electrical performance of a novel reprogrammable FDSOI device with dual-doping at source/ drain and only two top gates is investigated through advanced 3D TCAD simulations. The static and dynamic operations are evaluated and compared with those of traditional Schottky barrier RFETs and standard 28 nm FDSOI MOS transistors under manufacturable geometries.es_ES
dc.description.sponsorshipUniversidad de Granada/CBUA PID2020-119668GB-I00 EU MSCA 895322 TRAPS2D TEC2017 89800Res_ES
dc.language.isoenges_ES
dc.publisherElsevieres_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/*
dc.subjectReconfigurablees_ES
dc.subjectReprogrammablees_ES
dc.subjectSchottkyes_ES
dc.subjectBarrieres_ES
dc.subjectFETes_ES
dc.subjectRFETes_ES
dc.titlePerformance of FDSOI double-gate dual-doped reconfigurable FETses_ES
dc.typejournal articlees_ES
dc.rights.accessRightsopen accesses_ES
dc.identifier.doi10.1016/j.sse.2022.108336
dc.type.hasVersionVoRes_ES


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Nombre:
1-s2.0-S0038110122001083-main.pdf
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