Modeling of the temperature effects in filamentary-type resistive switching memories using quantum point-contact theory

J._Phys._D _Appl._Phys._53_295106_QPC.pdf (1.103Mb)

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URI: https://hdl.handle.net/10481/86467

DOI: https://doi.org/10.1088/1361-6463/ab85e5

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Autor

Calixto Molina, Manuel

Fecha

2020

Colecciones

• DMA - Artículos