Point memoire ram a un transistor

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URI: http://hdl.handle.net/10481/47680
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Author
Cristoloveanu, Sorin; Rodríguez Santiago, Noel; Gámiz Pérez, Francisco Jesús
Editorial
Oficina Española de Patentes y Marcas
Materia
Memorias digitales
 
Programable
 
Eléctrica
 
Materia UDC
G11C 16/02
Date
2011-04-29
Referencia bibliográfica
Cristoloveanu, S.; Rodríguez Santiago, N.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2944641 B1 (2011). [http://hdl.handle.net/10481/47680]
Sponsorship
Universidad de Granada; Centre National de la Recherche Scientifique
Abstract
L'invention concerne un élément de mémoire constitué d'un transistor MOS ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), l'épaisseur de la région du corps étant divisée en deux régions distinctes (13, 14) séparés par une partie d'une couche isolante (16) s'étendant parallèlement au plan de la grille.
Collections
Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License
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