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Point memoire ram a un transistor

dc.contributor.authorCristoloveanu, Sorinfr_FR
dc.contributor.authorRodríguez Santiago, Noel es_ES
dc.contributor.authorGámiz Pérez, Francisco Jesús es_ES
dc.date.accessioned2017-10-09T09:18:38Z
dc.date.available2017-10-09T09:18:38Z
dc.date.issued2011-04-29
dc.identifier.citationCristoloveanu, S.; Rodríguez Santiago, N.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2944641 B1 (2011). [http://hdl.handle.net/10481/47680]es_ES
dc.identifier.otherFR2944641 B1
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/47680
dc.descriptionNúmero de publicación: FR2944641 B1. Número de solicitud: 0952452.es_ES
dc.description.abstractL'invention concerne un élément de mémoire constitué d'un transistor MOS ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), l'épaisseur de la région du corps étant divisée en deux régions distinctes (13, 14) séparés par une partie d'une couche isolante (16) s'étendant parallèlement au plan de la grille.fr_FR
dc.description.sponsorshipUniversidad de Granadaes_ES
dc.description.sponsorshipCentre National de la Recherche Scientifiquees_ES
dc.language.isofraes_ES
dc.publisherOficina Española de Patentes y Marcases_ES
dc.rightsCreative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Licenseen_US
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/en_US
dc.subjectMemorias digitaleses_ES
dc.subjectProgramablees_ES
dc.subjectEléctricaes_ES
dc.titlePoint memoire ram a un transistorfr_FR
dc.typepatentes_ES
dc.subject.udcG11C 16/02es_ES


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Nom:
FR2944641B1.pdf
Taille:
760.9Ko
Format:
PDF

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    Patentes de la Universidad de Granada

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