TY  - PAT 
AU  - Cristoloveanu, Sorin
AU  - Rodríguez Santiago, Noel
AU  - Gámiz Pérez, Francisco Jesús
PY  - 2011
UR  - http://hdl.handle.net/10481/47680
AB  - L'invention concerne un élément de mémoire constitué d'un transistor MOS ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), l'épaisseur de la région du corps étant divisée en deux régions distinctes (13, 14)...
LA  - fra
PB  - Oficina Española de Patentes y Marcas
KW  - Memorias digitales
KW  - Programable
KW  - Eléctrica
TI  - Point memoire ram a un transistor
ER  -