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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10481/28829

Title: Análisis experimental y modelización por el método de Monte Carlo de la captura térmica de electrones por imperfecciones en semiconductores
Authors: Palma López, Alberto José
Direction: Jiménez Tejada, Juan Antonio
Collaborator: Universidad de Granada.Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores
Issue Date: 1995
Publisher: 
Description: p. 263-272
272 p. ; 30 cm
Description: Se ha realizado un estudio teórico de los principales procesos de captura térmica en el volumen del si y gaas mediante el método de Monte Carlo. Se ha incorporado la perturbación culombiana que provocan los centros atractivos a la luz de la teoria de cascada de fonones y se ha adoptado la emisión multifonon como la responsable de la transición al nivel fundamental ligado. Como resultado de la comparación de la sección eficaz de captura numérica y la experimental se han obtenido importantes consecuencias respecto a este par de mecanismos de captura y se han calculado valores para algunos de sus parámetros característicos. Respecto al trabajo experimental se ha propuesto una nueva técnica combinada numérico-experimental de medida precisa y simultanea de las secciones eficaces de mayoritarios y la concentración de centros profundos de uniones p-n, que evita las principales deficiencias de las técnicas capacitivas tradicionales. Esta técnica se ha aplicado a uniones reales impurificadas con platino en distintas concentraciones para calcular estos parámetros en los dos centros creados por esta impureza.
Tesis Univ. de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores
Se ha realizado un estudio teórico de los principales procesos de captura térmica en el volumen del si y gaas mediante el método de Monte Carlo. Se ha incorporado la perturbación culombiana que provocan los centros atractivos a la luz de la teoria de cascada de fonones y se ha adoptado la emisión multifonon como la responsable de la transición al nivel fundamental ligado. Como resultado de la comparación de la sección eficaz de captura numérica y la experimental se han obtenido importantes consecuencias respecto a este par de mecanismos de captura y se han calculado valores para algunos de sus parámetros característicos. Respecto al trabajo experimental se ha propuesto una nueva técnica combinada numérico-experimental de medida precisa y simultanea de las secciones eficaces de mayoritarios y la concentración de centros profundos de uniones p-n, que evita las principales deficiencias de las técnicas capacitivas tradicionales. Esta técnica se ha aplicado a uniones reales impurificadas con platino en distintas concentraciones para calcular estos parámetros en los dos centros creados por esta impureza.
Keywords: Electrónica
Física
UDC: 53
621.38
22
URI: http://hdl.handle.net/10481/28829
Rights : Creative Commons Attribution 3.0 License
Appears in Collections:Tesis

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