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Análisis experimental y modelización por el método de Monte Carlo de la captura térmica de electrones por imperfecciones en semiconductores

dc.contributor.advisorJiménez Tejada, Juan Antonio es_ES
dc.contributor.authorPalma López, Alberto José es_ES
dc.contributor.otherUniversidad de Granada.Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadoreses_ES
dc.date.accessioned2013-10-28T12:48:35Z
dc.date.available2013-10-28T12:48:35Z
dc.date.issued1995es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/28829
dc.descriptionSe ha realizado un estudio teórico de los principales procesos de captura térmica en el volumen del si y gaas mediante el método de Monte Carlo. Se ha incorporado la perturbación culombiana que provocan los centros atractivos a la luz de la teoria de cascada de fonones y se ha adoptado la emisión multifonon como la responsable de la transición al nivel fundamental ligado. Como resultado de la comparación de la sección eficaz de captura numérica y la experimental se han obtenido importantes consecuencias respecto a este par de mecanismos de captura y se han calculado valores para algunos de sus parámetros característicos. Respecto al trabajo experimental se ha propuesto una nueva técnica combinada numérico-experimental de medida precisa y simultanea de las secciones eficaces de mayoritarios y la concentración de centros profundos de uniones p-n, que evita las principales deficiencias de las técnicas capacitivas tradicionales. Esta técnica se ha aplicado a uniones reales impurificadas con platino en distintas concentraciones para calcular estos parámetros en los dos centros creados por esta impureza.es_ES
dc.descriptionTesis Univ. de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadoreses_ES
dc.descriptionSe ha realizado un estudio teórico de los principales procesos de captura térmica en el volumen del si y gaas mediante el método de Monte Carlo. Se ha incorporado la perturbación culombiana que provocan los centros atractivos a la luz de la teoria de cascada de fonones y se ha adoptado la emisión multifonon como la responsable de la transición al nivel fundamental ligado. Como resultado de la comparación de la sección eficaz de captura numérica y la experimental se han obtenido importantes consecuencias respecto a este par de mecanismos de captura y se han calculado valores para algunos de sus parámetros característicos. Respecto al trabajo experimental se ha propuesto una nueva técnica combinada numérico-experimental de medida precisa y simultanea de las secciones eficaces de mayoritarios y la concentración de centros profundos de uniones p-n, que evita las principales deficiencias de las técnicas capacitivas tradicionales. Esta técnica se ha aplicado a uniones reales impurificadas con platino en distintas concentraciones para calcular estos parámetros en los dos centros creados por esta impureza.es_ES
dc.format.extentp. 263-272es_ES
dc.format.extent272 p. ; 30 cmes_ES
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisheres_ES
dc.rightsCreative Commons Attribution 3.0 Licensees_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/3.0es_ES
dc.subjectElectrónica es_ES
dc.subjectFísica es_ES
dc.titleAnálisis experimental y modelización por el método de Monte Carlo de la captura térmica de electrones por imperfecciones en semiconductoreses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesises_ES
dc.subject.udc53es_ES
dc.subject.udc621.38es_ES
dc.subject.udc22es_ES
europeana.typeTEXTes_ES
europeana.dataProviderUniversidad de Granada. España.es_ES
europeana.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es_ES
dc.type1Tesises_ES


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FCI_T_13_122.pdf
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