Low-cost soft-error hardened D-Latch in nano CMOS technology
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Universidad de Granada
Departamento
Universidad de Granada. Programa de Doctorado en Tecnologías de la Información y ComunicaciónMateria
Hardened D-latch Power-delay product (PDP) Complementary Metal Oxide Semiconductor (CMOS) technology
Fecha
2024Fecha lectura
2023-12-19Referencia bibliográfica
Hatefinasab, Seyedehsomayeh. Low-cost soft-error hardened D-Latch in nano CMOS technology. Granada: Universidad de Granada, 2023. [https://hdl.handle.net/10481/89398]
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Tesis Univ. Granada.Resumen
En un entorno hostil con una enorme radiación como la del espacio, la parte de memoria
de los circuitos electrónicos, como los biestables D puede perder sus valores
almacenados y volverse más vulnerable a eventos de alteración de múltiples nodos
(multiple node upsets, MNU). Para abordar este problema, los chips integrados de un
sistema aeroespacial deben diseñarse con un alto nivel de confiabilidad contra errores
leves. Un fallo puede provocar el mal funcionamiento de los módulos o sistemas de un
cohete, de una nave espacial o de un satélite en entornos hostiles, poniendo en riesgo
estos equipos y vidas humanas. Además, es necesario reducir la tecnología para
aumentar la potencia de procesamiento y la densidad de integración, pero al hacerlo,
no nos podemos olvidar de seguir manteniendo la confiabilidad de los circuitos; en
particular, en los nodos de biestables D a nanoescala se pueden producir errores de
alteración de múltiples nodos cuando funcionan en entornos radiactivos hostiles. Por lo
tanto, es necesario diseñar módulos de almacenamiento autorecuperables capaces de
realizar cálculos altamente confiables en cualquier situación en el espacio exterior. Esta
tesis aborda así el diseño de un biestable D tolerante a errores en un nodo, a errores
en dos nodos y a errores en cuatro nodos, proponiendo así un nuevo biestable D robusto,
de bajo coste, alta confiabilidad y autorrecuperabilidad usando para ello una estrategia
de diseño adecuada. In a harsh environment with huge radiation as space, the memory part of electronic
circuits, such as D-latches, can lose their stored values and become more vulnerable to
multiple node upsets (MNUs) events. To tackle this issue, the on-board chips of
aerospace system have to be designed with a high-level reliability against soft errors.
One failure can cause the malfunction of modules or systems of a rocket, spacecraft, or
satellite in harsh environments putting equipment and lives at risk. Also, scaling down
the technology is necessary to boost processing power and density of integration, but
in doing so keeping the reliability of circuits is a concern that cannot be neglected; in
particular, D-latches nodes at nano-scale confront multiple-node upset errors when they
are operated in harsh radiative environments. Therefore, it is mandatory to design selfrecoverable
storage modules capable of highly-reliable computing under any outer space
situation. This thesis addresses the design of a single-node-upset, double-node-upset,
and quadruple-node-upset tolerant D-Latch, which is a new approach of hardened Dlatch
featuring low-cost, high-reliability, and self-recoverability under the proper design
strategy.