Caracterización y modelado de memorias RRAM basadas en estructuras metal-aislante-semiconductor y metal-aislante-metal

Abstract

El objetivo de este proyecto es el estudio y posterior análisis del efecto del campo magnético aplicado sobre dispositivos de tipo resistivo RRAM, en concreto sobre estructuras metal-aislante-semiconductor y metal-aislante-metal. Los temas a tratar serán la modificación del software de medidas y análisis desde el que se parte para que incluya compatibilidad de trabajo con campo magnético y desarrollo de distintos escenarios para la toma de medidas con campo magnético uniforme. Finalmente se llevarán a cabo una serie de medidas precisas y se tratarán los resultados. El sistema contar´a con el software para la configuración del conexionado y el lanzamiento del proceso de medida controlando el conjunto de la instrumentación involucrada mediante buses GPIB y RS-232. Finalmente, se concluye que los resultados muestran que el campo magnético aumenta los niveles de conducción de la corriente en el estado de baja resistencia de manera acumulativa, es decir, en series de ciclos RS sucesivos. Además, la media de la corriente en el estado de alta resistencia también se ve incrementada bajo los efectos del campo magnético.