Point memoire ram a un transistor
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/10481/47679Metadata
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Oficina Española de Patentes y Marcas
Materia
Memorias digitales Celdas
Materia UDC
G11C 11/417
Date
2015-07-17Referencia bibliográfica
Cristoloveanu, S.; Rodríguez Santiago, N.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2958779 B1 (2015). [http://hdl.handle.net/10481/47679]
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Universidad de Granada; Centre National de la Recherche ScientifiqueAbstract
L'invention concerne une cellule de mémoire constituée d'un transistor MOS isolé ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), dans laquelle la région du corps est divisée par son épaisseur en deux des régions séparées (13, 14) de types de conductivité opposés s'étendant parallèlement au plan de la grille, la région de corps la plus proche de la grille ayant le type de conductivité opposé à celle du drain / source.