Estudio del ruido de baja frecuencia en transistores de efecto campo

Abstract

Este trabajo se centra en el ruido de baja frecuencia presente en los transistores de efecto campo. Para los JFETs se analizan las uniones puerta-canal polarizadas en inverso, resolviendo en ellas de modo numérico la ecuación de Poisson. Los resultados nos permiten calcular la densidad espectral de ruido originada por diferentes centros investigando la influencia de su posición energética y de los diferentes perfiles de impurezas poco profundas. Son considerados dispositivos construidos con diferentes materiales semiconductores, tales como Si o SiC. En los MOSFETs se estudia el llenado y vaciado de los estados ligados próximos a la interfase Si/SiO2, su influencia en la corriente del dispositivo debido a la variación del número de portadores libres y a la variación de la movilidad provocada por el incremento de la dispersión culombiana. Además se analizan las dependencias de los tiempos de captura y emisión de los electrones con la temperatura y la tensión de puerta aplicada. Para todas estas estructuras se investigan las consecuencias de su posible exposición a radicación.