@misc{10481/47658,
year = {2014},
month = {3},
url = {http://hdl.handle.net/10481/47658},
abstract = {L'invention concerne un point mémoire constitué d'un bâtonnet semiconducteur dont les extrémités sont fortement dopées pour constituer des régions de source et de drain (101, 102) et dont la partie centrale comprend, entre les régions de source et de drain, une région de type N (104) entourée sur la plus grande partie de sa périphérie d'une région de type P quasi intrinsèque (105), la région de type P étant elle-même entourée d'une grille isolée (107).},
organization = {Universidad de Granada},
organization = {Centre National de la Recherche Scientifique},
publisher = {Oficina Española de Patentes y Marcas},
keywords = {Dispositivos semiconductores},
keywords = {Transistores},
title = {Point memoire ram a un transistor},
author = {Rodríguez Santiago, Noel and Cristoloveanu, Sorin and Gámiz Pérez, Francisco Jesús},
}