TY - PAT AU - Rodríguez Santiago, Noel AU - Cristoloveanu, Sorin AU - Gámiz Pérez, Francisco Jesús PY - 2014 UR - http://hdl.handle.net/10481/47658 AB - L'invention concerne un point mémoire constitué d'un bâtonnet semiconducteur dont les extrémités sont fortement dopées pour constituer des régions de source et de drain (101, 102) et dont la partie centrale comprend, entre les régions de source et de... LA - fra PB - Oficina Española de Patentes y Marcas KW - Dispositivos semiconductores KW - Transistores TI - Point memoire ram a un transistor ER -