Caracterización y modelado de memorias RRAM basadas en estructuras metal-aislante-semiconductor y metal-aislante-metal Maldonado Correa, David Roldán Aranda, Andrés María Roldán Aranda, Juan Bautista Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores Campo magnético Caracterización Modelado Medida Memoria RRAM RRAM memory Resistive random-access memory El objetivo de este proyecto es el estudio y posterior análisis del efecto del campo magnético aplicado sobre dispositivos de tipo resistivo RRAM, en concreto sobre estructuras metal-aislante-semiconductor y metal-aislante-metal. Los temas a tratar serán la modificación del software de medidas y análisis desde el que se parte para que incluya compatibilidad de trabajo con campo magnético y desarrollo de distintos escenarios para la toma de medidas con campo magnético uniforme. Finalmente se llevarán a cabo una serie de medidas precisas y se tratarán los resultados. El sistema contar´a con el software para la configuración del conexionado y el lanzamiento del proceso de medida controlando el conjunto de la instrumentación involucrada mediante buses GPIB y RS-232. Finalmente, se concluye que los resultados muestran que el campo magnético aumenta los niveles de conducción de la corriente en el estado de baja resistencia de manera acumulativa, es decir, en series de ciclos RS sucesivos. Además, la media de la corriente en el estado de alta resistencia también se ve incrementada bajo los efectos del campo magnético. 2022-04-22T11:24:34Z 2022-04-22T11:24:34Z 2019 master thesis http://hdl.handle.net/10481/74474 10.30827/Digibug.74474 spa http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/ open access Atribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España