Point memoire ram a un transistor Rodríguez Santiago, Noel Gámiz Pérez, Francisco Jesús Cristoloveanu, Sorin Dispositivos semiconductores Transistores Número de publicación: FR2980918 B1. Número de solicitud: 1158942. L'invention concerne un point mémoire constitué d'un bâtonnet semiconducteur dont les extrémités sont fortement dopées pour constituer des régions de source et de drain (101, 102) et dont la partie centrale comprend, entre les régions de source et de drain, une région de type N (104) entourée sur la plus grande partie de sa périphérie d'une région de type P quasi intrinsèque (105), la région de type P étant elle-même entourée d'une grille isolée (107). 2017-10-06T09:13:53Z 2017-10-06T09:13:53Z 2014-03-07 info:eu-repo/semantics/patent Rodríguez Santiago, N.; Cristoloveanu, S.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2980918 B1 (2014). [http://hdl.handle.net/10481/47658] FR2980918 B1 http://hdl.handle.net/10481/47658 fra http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License Oficina Española de Patentes y Marcas