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      <dc:title>Simulación mediante el método de Monte Carlo y modelado del transporte electrónico en transistores mos de canal corto</dc:title>
      <dc:creator>Roldán Aranda, Juan Bautista</dc:creator>
      <dc:contributor>Gámiz Pérez, Francisco Jesús</dc:contributor>
      <dc:contributor>López Villanueva, Juan Antonio</dc:contributor>
      <dc:subject>Métodos de simulación</dc:subject>
      <dc:subject>Microelectrónica</dc:subject>
      <dc:subject>Transistores</dc:subject>
      <dc:date>2013-10-25T12:02:20Z</dc:date>
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      <dc:date>1997</dc:date>
      <dc:type>doctoral thesis</dc:type>
      <dc:identifier>http://hdl.handle.net/10481/28739</dc:identifier>
      <dc:language>spa</dc:language>
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      <dc:rights>Creative Commons Attribution 3.0 License</dc:rights>
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