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      <dc:title>Simulación de transistores Mosfet : corriente túnel de puerta, dispersión culombiana y autocalentamiento</dc:title>
      <dc:creator>Jiménez Molinos, Francisco</dc:creator>
      <dc:contributor>Gámiz Pérez, Francisco Jesús</dc:contributor>
      <dc:contributor>Palma López, Alberto José</dc:contributor>
      <dc:contributor>Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores</dc:contributor>
      <dc:subject>Transistores</dc:subject>
      <dc:subject>Ingeniería eléctrica</dc:subject>
      <dc:subject>Electrónica</dc:subject>
      <dc:date>2013-04-29T07:21:32Z</dc:date>
      <dc:date>2013-04-29T07:21:32Z</dc:date>
      <dc:date>2013</dc:date>
      <dc:date>2002-10-31</dc:date>
      <dc:type>info:eu-repo/semantics/doctoralThesis</dc:type>
      <dc:identifier>Jiménez Molinos, F. Simulación de transistores Mosfet : corriente túnel de puerta, dispersión culombiana y autocalentamiento. Granada: Universidad de Granada, 2013. 231 p. [http://hdl.handle.net/10481/24832]</dc:identifier>
      <dc:identifier>http://hdl.handle.net/10481/24832</dc:identifier>
      <dc:language>spa</dc:language>
      <dc:rights>http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/</dc:rights>
      <dc:rights>info:eu-repo/semantics/openAccess</dc:rights>
      <dc:rights>Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License</dc:rights>
      <dc:publisher>Universidad de Granada</dc:publisher>
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