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   <ow:Publication rdf:about="oai:digibug.ugr.es:10481/1853">
      <dc:title>Characterization, modelling and simulation of decananometer SOI MOSFETs</dc:title>
      <dc:creator>Rodríguez Santiago, Noel</dc:creator>
      <dc:contributor>Gámiz Pérez, Francisco Jesús</dc:contributor>
      <dc:contributor>Cristoloveanu, Sorin</dc:contributor>
      <dc:contributor>Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores</dc:contributor>
      <dc:contributor>Institut National Polytechnique de Grenoble. Institut de Microélectronique, Électromagnétisme et Photonique</dc:contributor>
      <dc:subject>Circuitos integrados</dc:subject>
      <dc:subject>Transistores</dc:subject>
      <dc:description>Contiene tres breves resúmenes en inglés, francés y español. Y además, incluye un amplio resumen de la tesis en francés</dc:description>
      <dc:date>2009-11-03T13:38:35Z</dc:date>
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      <dc:date>2008</dc:date>
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      <dc:type>doctoral thesis</dc:type>
      <dc:identifier>http://hdl.handle.net/10481/1853</dc:identifier>
      <dc:language>en</dc:language>
      <dc:rights>http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/</dc:rights>
      <dc:rights>Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License</dc:rights>
      <dc:publisher>Granada: Universidad de Granada</dc:publisher>
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