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      <dc:title>Estudio, caracterización y simulación de transistores con modulación de la velocidad en silicio</dc:title>
      <dc:creator>Sampedro Matarín, Carlos</dc:creator>
      <dc:contributor>Godoy Medina, Andrés</dc:contributor>
      <dc:contributor>Gámiz Pérez, Francisco Jesús</dc:contributor>
      <dc:contributor>Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores</dc:contributor>
      <dc:subject>Electrónica</dc:subject>
      <dc:subject>Transistores</dc:subject>
      <dc:subject>Modulación (Electrónica)</dc:subject>
      <dc:subject>Tecnología de computadores</dc:subject>
      <dc:date>2009-10-15T09:31:18Z</dc:date>
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      <dc:date>2006</dc:date>
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      <dc:type>info:eu-repo/semantics/doctoralThesis</dc:type>
      <dc:identifier>http://hdl.handle.net/10481/1362</dc:identifier>
      <dc:language>es</dc:language>
      <dc:rights>http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/</dc:rights>
      <dc:rights>Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License</dc:rights>
      <dc:publisher>Granada: Universidad de Granada</dc:publisher>
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