Design, Characterization and Simulation of Electronic and Optoelectronic Nanodevices based on Bidimensional Materials
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González-Medina, Jose MaríaEditorial
Universidad de Granada
Departamento
Universidad de Granada. Programa de Doctorado en Física y Ciencias del EspacioMateria
Semiconductores Dispositivos de estado sólido Transplante de electrones Microelectrónica
Date
2020Fecha lectura
2020-01-21Referencia bibliográfica
González-Medina, Jose María. Design, Characterization and Simulation of Electronic and Optoelectronic Nanodevices based on Bidimensional Materials. Granada: Universidad de Granada, 2020. [http://hdl.handle.net/10481/59761]
Sponsorship
Tesis Univ. Granada.Abstract
This Doctoral Thesis aims to study the electronic and optoelectronic properties of
devices based on 2D materials and their heterostructures, with emphasis in photodiodes
and phototransistors.
For this purpose, a numerical method to self-consistently solve the 2D Poisson
and Drift-Diffusion equations is developed, which also allows the evaluation of the 1D
Schr odinger equation to calculate the carrier mobility. The code is able to handle
arbitrary combinations of semiconductor and isolator materials, solving the direct or
band-to-band tunneling in heterojunctions, and considering Ohmic or Schottky contacts.
Generation-recombination effects such as light generation, SRH, Auger and Radiative
recombinations are also included. Finally, traps with arbitrary energetic pro le
are implemented. To accelerate the convergence of the simulator, the Newton-Rhapson
linearisation scheme is implemented.
The numerical method developed is applied in this Thesis to evaluate different
electronic and optoelectronic devices of interest based on bidimensional materials. In summary, our work delves into the potential applications of bidimensional materials
and which elements should be taken into account in their fabrication, focusing on
the in
uence of contacts and the quality of the interfaces with other materials. Esta Tesis Doctoral tiene como objetivo el estudio de las propiedades electrónicas y
optoelectrónicas de dispositivos basados en materiales 2D y heteroestructuras que los
contengan, con especial énfasis en fotodiodos y fototransistores.
Para ello, se desarrolla un simulador que resuelve autoconsistentemente las ecuaciones
de Poisson y Deriva Difusión en dos dimensiones, y que permite también resolver
la ecuación de Schrodinger para evaluar la movilidad de portadores. El programa admite
combinaciones arbitrarias de materiales aislantes o semiconductores, considerando
túnel directo o banda a banda en las heterouniones, así como contactos óhmicos o de
tipo Schottky. Es posible también considerar efectos de generación-recombinación que
modelan distintos fenómenos físicos, tales como generación por luz o recombinaciones
SRH, Auger y Radiativa. Por último, se ha implementado el modelado de trampas con
per les energéticos arbitrarios. Para acelerar la convergencia del código, se hace uso
del método de linealización de Newton-Rhapson.
El método numérico desarrollado se aplica en la Tesis a la evaluación de distintos
dispositivos electrónicos y optoelectrónicos de interés basados en materiales bidimensionales. En conjunto, el trabajo desarrollado profundiza en las aplicaciones potenciales de
los materiales bidimensionales y en qué elementos deben tenerse en cuenta en su fabricación, enfocándose en la influencia de los contactos y de la calidad de las interfaces
con otros materiales.