Estudio de las propiedades de transporte de electrones en láminas de inversión semiconductoras por el método de Monte Carlo /Francisco J. Gámiz Pérez ; [director] Juan Antonio López Villanueva

Abstract

En este trabajo se aborda el estudio teórico de las propiedades de transporte de gases de electrones quasi- bidimensionales contenidos en laminas de inversión tales como las existentes en estructuras mos: para ello, se realiza un estudio teórico de las propiedades eléctricas de electrones en laminas de inversión semiconductoras a partir de una formulación cuántica del problema, se analiza detalladamente la cuantización del gas debido al confinamiento en pozos estrechos de potencial y se modelan teóricamente los diferentes mecanismos de dispersión. Una vez realizado el estudio y modelado de los electrones en laminas de inversión y de los diferentes mecanismos de dispersión se elaboran los programas de simulación del comportamiento de electrones implementando el método de Monte Carlo. Se aplica la simulación al estudio de la influencia de los diferentes parámetros físicos y tecnológicos sobre las propiedades de transporte.