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Point memoire ram a un transistor

dc.contributor.authorRodríguez Santiago, Noel es_ES
dc.contributor.authorCristoloveanu, Sorinfr_FR
dc.contributor.authorGámiz Pérez, Francisco Jesús es_ES
dc.date.accessioned2017-10-06T09:13:53Z
dc.date.available2017-10-06T09:13:53Z
dc.date.issued2014-03-07
dc.identifier.citationRodríguez Santiago, N.; Cristoloveanu, S.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2980918 B1 (2014). [http://hdl.handle.net/10481/47658]fr_FR
dc.identifier.otherFR2980918 B1
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/47658
dc.descriptionNúmero de publicación: FR2980918 B1. Número de solicitud: 1158942.es_ES
dc.description.abstractL'invention concerne un point mémoire constitué d'un bâtonnet semiconducteur dont les extrémités sont fortement dopées pour constituer des régions de source et de drain (101, 102) et dont la partie centrale comprend, entre les régions de source et de drain, une région de type N (104) entourée sur la plus grande partie de sa périphérie d'une région de type P quasi intrinsèque (105), la région de type P étant elle-même entourée d'une grille isolée (107).fr_FR
dc.description.sponsorshipUniversidad de Granadaes_ES
dc.description.sponsorshipCentre National de la Recherche Scientifiquefr_FR
dc.language.isofraes_ES
dc.publisherOficina Española de Patentes y Marcases_ES
dc.rightsCreative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Licenseen_US
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/en_US
dc.subjectDispositivos semiconductoreses_ES
dc.subjectTransistores es_ES
dc.titlePoint memoire ram a un transistorfr_FR
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/patentes_ES
dc.subject.udcH01L 21/8238es_ES


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Nombre:
FR2980918B1.pdf
Tamaño:
536.1Kb
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PDF

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    Patentes de la Universidad de Granada

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