dc.contributor.author | Rodríguez Santiago, Noel | es_ES |
dc.contributor.author | Cristoloveanu, Sorin | fr_FR |
dc.contributor.author | Gámiz Pérez, Francisco Jesús | es_ES |
dc.date.accessioned | 2017-10-06T09:13:53Z | |
dc.date.available | 2017-10-06T09:13:53Z | |
dc.date.issued | 2014-03-07 | |
dc.identifier.citation | Rodríguez Santiago, N.; Cristoloveanu, S.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2980918 B1 (2014). [http://hdl.handle.net/10481/47658] | fr_FR |
dc.identifier.other | FR2980918 B1 | |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10481/47658 | |
dc.description | Número de publicación: FR2980918 B1. Número de solicitud: 1158942. | es_ES |
dc.description.abstract | L'invention concerne un point mémoire constitué d'un bâtonnet semiconducteur dont les extrémités sont fortement dopées pour constituer des régions de source et de drain (101, 102) et dont la partie centrale comprend, entre les régions de source et de drain, une région de type N (104) entourée sur la plus grande partie de sa périphérie d'une région de type P quasi intrinsèque (105), la région de type P étant elle-même entourée d'une grille isolée (107). | fr_FR |
dc.description.sponsorship | Universidad de Granada | es_ES |
dc.description.sponsorship | Centre National de la Recherche Scientifique | fr_FR |
dc.language.iso | fra | es_ES |
dc.publisher | Oficina Española de Patentes y Marcas | es_ES |
dc.rights | Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License | en_US |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ | en_US |
dc.subject | Dispositivos semiconductores | es_ES |
dc.subject | Transistores | es_ES |
dc.title | Point memoire ram a un transistor | fr_FR |
dc.type | patent | es_ES |
dc.subject.udc | H01L 21/8238 | es_ES |