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dc.contributor.advisorRodríguez Santiago, Noel es_ES
dc.contributor.advisorGámiz Pérez, Francisco Jesús es_ES
dc.contributor.authorMárquez González, Carlos es_ES
dc.contributor.otherUniversidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadoreses_ES
dc.date.accessioned2017-04-25T10:46:24Z
dc.date.available2017-04-25T10:46:24Z
dc.date.issued2017
dc.date.submitted2017-03-23
dc.identifier.citationnulles_ES
dc.identifier.citationMárquez González, C. Electrical characterization of reability in advanced silicon-on-insulator structures for sub-22NM technologies. Granada: Universidad de Granada, 2017. [http://hdl.handle.net/10481/45904]es_ES
dc.identifier.isbn9788491631712
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/45904
dc.description.abstractThe aim of the work herein presented in this PhD thesis is to study, through the electrical characterization, the reliability issues derived from the scaling down of the state-of-the-art Silicon-On-Insulator transistors. The miniaturization of the dimensions of the transistor has been the trend which semiconductor industry has followed in order to increase the number of devices per chip and, subsequently, the performance of the circuit. However, the reduction of the gate oxide thickness and the gate length, mandatory to follow the scaling rules, have implied the introduction of new dielectric materials and device structures. These advances have also introduced new instability sources which may affect the performance and the reliability of the devices.en_EN
dc.description.sponsorshipTesis Univ. Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadoreses_ES
dc.format.mimetypeapplication/pdfen_US
dc.language.isoengen_EN
dc.publisherUniversidad de Granadaes_ES
dc.rightsCreative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Licenseen_US
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/en_US
dc.subjectTransistores es_ES
dc.subjectMagnitudes eléctricases_ES
dc.subjectSemiconductores es_ES
dc.subjectCaracterizaciónes_ES
dc.subjectDispositivos dieléctricoses_ES
dc.subjectPolarización (Electricidad)es_ES
dc.subjectIonización es_ES
dc.titleElectrical characterization of reability in advanced silicon-on-insulator structures for sub-22NM technologiesen_EN
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesises_ES
dc.subject.udc53es_ES
dc.subject.udc537es_ES
dc.subject.udc(043.2)es_ES
dc.subject.udc2512es_ES
europeana.typeTEXTen_US
europeana.dataProviderUniversidad de Granada. España.es_ES
europeana.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/en_US
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US


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