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Estudio experimental de la movilidad de los electrones en transistores metal-óxido-semiconductor

dc.contributor.advisorLópez Villanueva, Juan Antonio es_ES
dc.contributor.authorBanqueri Ozáez, Jesús es_ES
dc.contributor.otherUniversidad de Granada.Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadoreses_ES
dc.contributor.otherTesis Univ. de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadoreses_ES
dc.date.accessioned2013-10-28T12:49:18Z
dc.date.available2013-10-28T12:49:18Z
dc.date.issued1994es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/28836
dc.format.extentp. 293-305es_ES
dc.format.extent305 p. ; 30 cmes_ES
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publishernulles_ES
dc.rightsCreative Commons Attribution 3.0 Licensees_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/3.0es_ES
dc.subjectElectrónica es_ES
dc.titleEstudio experimental de la movilidad de los electrones en transistores metal-óxido-semiconductores_ES
dc.typedoctoral thesises_ES
dc.subject.udc621.38es_ES
dc.subject.udc33es_ES
europeana.typeTEXTes_ES
europeana.dataProviderUniversidad de Granada. España.es_ES
europeana.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es_ES
dc.type1Tesises_ES


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FCI_T_13_90.pdf
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