@misc{10481/50522,
year = {2018},
url = {http://hdl.handle.net/10481/50522},
abstract = {El interés que han despertado estas memorias se refleja también en el elevado número
de publicaciones1 que han aparecido en los últimos años. Además, en las últimas
ediciones del congreso de referencia mundial en el campo de los dispositivos
electrónicos IEDM (International Electron Device Meeting), los dispositivos con más
contribuciones asociadas fueron las RRAM. Por último, numerosas empresas privadas
como Crossbar, Sony, Panasonic, HP, Towerjazz… han puesto también su mirada, y su
dinero, en esta nueva tecnología. Las memorias RRAM (también conocidas como ReRAM) basan su funcionamiento en
la conmutación entre estados de diferente resistencia (Resistive Switching, RS) (ver
Capítulos 2 y 8). Hay varios tipos de memorias RRAM, según el mecanismo físicoquímico
involucrado en la conmutación entre los estados de alta y baja conductividad
(ver sección 1.3). En la mayoría de los casos los dispositivos son extremadamente
simples de fabricar (consisten en dos contactos metálicos o semiconductores con un
óxido en medio) y con una alta compatibilidad con la tecnología CMOS. Con dos
niveles de tensión diferentes se pueden forzar las transiciones entre los estados de alta y
baja resistividad. La sencillez de funcionamiento y fabricación les da unas perspectivas
extremadamente atractivas para abordar con éxito las necesidades de escalado a las que
se enfrentarán en el contexto tan competitivo de la industria electrónica actual. Además,
su alta velocidad de conmutación también las postula como buenas candidatas para
nuevos nichos tecnológicos. Sin embargo, los principios físicos y químicos
involucrados en las transiciones todavía no han sido del todo clarificados.
Con el fin de contribuir al desarrollo de esta prometedora tecnología, en el contexto de
esta tesis doctoral se ha desarrollado un simulador macroscópico para este tipo de
dispositivos al que hemos llamado SIM2RRAM (ver Capítulo 3). A partir de los
resultados obtenidos, y su comparación con resultados experimentales, se ha realizado
un modelado y análisis del funcionamiento interno desde el punto de vista estructural,
térmico y eléctrico.},
organization = {Tesis Univ. Granada.},
organization = {Programa Oficial de Doctorado en Física y Ciencias del Espacio},
publisher = {Universidad de Granada},
keywords = {Astronomía},
keywords = {Astrofísica},
keywords = {Estudio},
keywords = {RRAM},
keywords = {Física},
keywords = {CMOS},
title = {Estudio, modelado y simulación de memorias RRAM},
author = {Villena Sánchez, Marco Antonio},
}