@misc{10481/47679,
year = {2015},
month = {7},
url = {http://hdl.handle.net/10481/47679},
abstract = {L'invention concerne une cellule de mémoire constituée d'un transistor MOS isolé ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), dans laquelle la région du corps est divisée par son épaisseur en deux des régions séparées (13, 14) de types de conductivité opposés s'étendant parallèlement au plan de la grille, la région de corps la plus proche de la grille ayant le type de conductivité opposé à celle du drain / source.},
organization = {Universidad de Granada},
organization = {Centre National de la Recherche Scientifique},
publisher = {Oficina Española de Patentes y Marcas},
keywords = {Memorias digitales},
keywords = {Celdas},
title = {Point memoire ram a un transistor},
author = {Cristoloveanu, Sorin and Rodríguez Santiago, Noel and Gámiz Pérez, Francisco Jesús},
}