TY  - THES 
A3  - Roldán Aranda, Juan Bautista
AU  - Urbano Mayorgas, Juan José
A4  - Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores
PY  - 2014
UR  - http://hdl.handle.net/10481/33515
AB  - En este trabajo se va a desarrollar un modelo de potencial de superficie para
DGMOSFETs que tiene en cuenta los efectos cuánticos. Para ello se realizarán
simulaciones numéricas que servirán para comparar y validar las expresiones...
LA  - spa
KW  - Double gate MOSFET (DGMOSFET)
KW  - MOSFET
KW  - Transistores de efecto de campo de puerta aislada
KW  - Dispositivos multipuerta
TI  - Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos
M3  - info:eu-repo/semantics/masterThesis
DO  - 10.30827/Digibug.33515
ER  -