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Point memoire ram a un transistor

dc.contributor.authorCristoloveanu, Sorinfr_FR
dc.contributor.authorRodríguez Santiago, Noel es_ES
dc.contributor.authorGámiz Pérez, Francisco Jesús es_ES
dc.date.accessioned2017-10-09T09:17:14Z
dc.date.available2017-10-09T09:17:14Z
dc.date.issued2015-07-17
dc.identifier.citationCristoloveanu, S.; Rodríguez Santiago, N.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2958779 B1 (2015). [http://hdl.handle.net/10481/47679]es_ES
dc.identifier.otherFR2958779 B1
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/47679
dc.descriptionNúmero de publicación: FR2958779 B1. Número de solicitud: 1052612.es_ES
dc.description.abstractL'invention concerne une cellule de mémoire constituée d'un transistor MOS isolé ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), dans laquelle la région du corps est divisée par son épaisseur en deux des régions séparées (13, 14) de types de conductivité opposés s'étendant parallèlement au plan de la grille, la région de corps la plus proche de la grille ayant le type de conductivité opposé à celle du drain / source.fr_FR
dc.description.sponsorshipUniversidad de Granadaes_ES
dc.description.sponsorshipCentre National de la Recherche Scientifiquefr_FR
dc.language.isofraes_ES
dc.publisherOficina Española de Patentes y Marcases_ES
dc.rightsCreative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Licenseen_US
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/en_US
dc.subjectMemorias digitaleses_ES
dc.subjectCeldases_ES
dc.titlePoint memoire ram a un transistorfr_FR
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/patentes_ES
dc.subject.udcG11C 11/417es_ES


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Nombre:
FR2958779B1.pdf
Tamaño:
651.0Kb
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PDF

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