Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos

dc.contributor.advisor	Roldán Aranda, Juan Bautista	es_ES
dc.contributor.author	Urbano Mayorgas, Juan José
dc.contributor.other	Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores	es_ES
dc.date.accessioned	2014-10-31T10:18:28Z
dc.date.available	2014-10-31T10:18:28Z
dc.date.issued	2014-10-31
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/10481/33515
dc.description.abstract	En este trabajo se va a desarrollar un modelo de potencial de superficie para DGMOSFETs que tiene en cuenta los efectos cuánticos. Para ello se realizarán simulaciones numéricas que servirán para comparar y validar las expresiones analíticas desarrolladas, obteniendo los efectos cuánticos.	es_ES
dc.description.sponsorship	Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores. Máster Métodos y Técnicas Avanzadas en Física (MTAF)	es_ES
dc.language.iso	spa	es_ES
dc.subject	Double gate MOSFET (DGMOSFET)	es_ES
dc.subject	MOSFET	es_ES
dc.subject	Transistores de efecto de campo de puerta aislada	es_ES
dc.subject	Dispositivos multipuerta	es_ES
dc.title	Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos	es_ES
dc.type	info:eu-repo/semantics/masterThesis	es_ES
dc.rights.accessRights	info:eu-repo/semantics/openAccess	es_ES
dc.identifier.doi	10.30827/Digibug.33515

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