Simulación de transistores Mosfet : corriente túnel de puerta, dispersión culombiana y autocalentamiento
Identificadores
URI: http://hdl.handle.net/10481/24832Metadatos
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Universidad de Granada
Departamento
Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de ComputadoresMateria
Transistores Ingeniería eléctrica Electrónica
Materia UDC
621.38 33
Fecha
2013Fecha lectura
2002-10-31Referencia bibliográfica
Jiménez Molinos, F. Simulación de transistores Mosfet : corriente túnel de puerta, dispersión culombiana y autocalentamiento. Granada: Universidad de Granada, 2013. 231 p. [http://hdl.handle.net/10481/24832]