@misc{10481/47680,
year = {2011},
month = {4},
url = {http://hdl.handle.net/10481/47680},
abstract = {L'invention concerne un élément de mémoire constitué d'un transistor MOS ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), l'épaisseur de la région du corps étant divisée en deux régions distinctes (13, 14) séparés par une partie d'une couche isolante (16) s'étendant parallèlement au plan de la grille.},
organization = {Universidad de Granada},
organization = {Centre National de la Recherche Scientifique},
publisher = {Oficina Española de Patentes y Marcas},
keywords = {Memorias digitales},
keywords = {Programable},
keywords = {Eléctrica},
title = {Point memoire ram a un transistor},
author = {Cristoloveanu, Sorin and Rodríguez Santiago, Noel and Gámiz Pérez, Francisco Jesús},
}