TY - PAT AU - Cristoloveanu, Sorin AU - Rodríguez Santiago, Noel AU - Gámiz Pérez, Francisco Jesús PY - 2015 UR - http://hdl.handle.net/10481/47679 AB - L'invention concerne une cellule de mémoire constituée d'un transistor MOS isolé ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), dans laquelle la région du corps est divisée par son épaisseur en deux des... LA - fra PB - Oficina Española de Patentes y Marcas KW - Memorias digitales KW - Celdas TI - Point memoire ram a un transistor ER -