TY  - THES 
A3  - López Villanueva, Juan Antonio
AU  - Cartujo Cassinello, Pedro
A4  - Universidad de Granada.Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores
PY  - 2000
UR  - http://hdl.handle.net/10481/28790
AB  - En este trabajo se hace un estudio del transistor MOS de doble puerta analizando las posibles ventajas de esta nueva estructura frene al transistor convencional y el transistor MOS SOI de puerta simple. Para ello se ha analizado una sección...
LA  - spa
PB  - Granada
KW  - Transistores
KW  - Semiconductores
TI  - Simulación y modelado de transistores MOS de doble puerta
M3  - info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
ER  -