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   <ow:Publication rdf:about="oai:digibug.ugr.es:10481/47680">
      <dc:title>Point memoire ram a un transistor</dc:title>
      <dc:creator>Cristoloveanu, Sorin</dc:creator>
      <dc:creator>Rodríguez Santiago, Noel</dc:creator>
      <dc:creator>Gámiz Pérez, Francisco Jesús</dc:creator>
      <dc:subject>Memorias digitales</dc:subject>
      <dc:subject>Programable</dc:subject>
      <dc:subject>Eléctrica</dc:subject>
      <dc:description>Número de publicación: FR2944641 B1. Número de solicitud: 0952452.</dc:description>
      <dc:description>L'invention concerne un élément de mémoire constitué d'un transistor MOS ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), l'épaisseur de la région du corps étant divisée en deux régions distinctes (13, 14) séparés par une partie d'une couche isolante (16) s'étendant parallèlement au plan de la grille.</dc:description>
      <dc:date>2017-10-09T09:18:38Z</dc:date>
      <dc:date>2017-10-09T09:18:38Z</dc:date>
      <dc:date>2011-04-29</dc:date>
      <dc:type>info:eu-repo/semantics/patent</dc:type>
      <dc:identifier>Cristoloveanu, S.; Rodríguez Santiago, N.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2944641 B1 (2011). [http://hdl.handle.net/10481/47680]</dc:identifier>
      <dc:identifier>FR2944641 B1</dc:identifier>
      <dc:identifier>http://hdl.handle.net/10481/47680</dc:identifier>
      <dc:language>fra</dc:language>
      <dc:rights>http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/</dc:rights>
      <dc:rights>Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License</dc:rights>
      <dc:publisher>Oficina Española de Patentes y Marcas</dc:publisher>
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