Point memoire ram a un transistor Cristoloveanu, Sorin Rodríguez Santiago, Noel Gámiz Pérez, Francisco Jesús Memorias digitales Celdas Número de publicación: FR2958779 B1. Número de solicitud: 1052612. L'invention concerne une cellule de mémoire constituée d'un transistor MOS isolé ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), dans laquelle la région du corps est divisée par son épaisseur en deux des régions séparées (13, 14) de types de conductivité opposés s'étendant parallèlement au plan de la grille, la région de corps la plus proche de la grille ayant le type de conductivité opposé à celle du drain / source. 2017-10-09T09:17:14Z 2017-10-09T09:17:14Z 2015-07-17 info:eu-repo/semantics/patent Cristoloveanu, S.; Rodríguez Santiago, N.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2958779 B1 (2015). [http://hdl.handle.net/10481/47679] FR2958779 B1 http://hdl.handle.net/10481/47679 fra http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/ Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License Oficina Española de Patentes y Marcas