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      <dc:title>Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos</dc:title>
      <dc:creator>Urbano Mayorgas, Juan José</dc:creator>
      <dc:contributor>Roldán Aranda, Juan Bautista</dc:contributor>
      <dc:contributor>Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores</dc:contributor>
      <dc:subject>Double gate MOSFET (DGMOSFET)</dc:subject>
      <dc:subject>MOSFET</dc:subject>
      <dc:subject>Transistores de efecto de campo de puerta aislada</dc:subject>
      <dc:subject>Dispositivos multipuerta</dc:subject>
      <dc:description>En este trabajo se va a desarrollar un modelo de potencial de superficie para&#xd;
DGMOSFETs que tiene en cuenta los efectos cuánticos. Para ello se realizarán&#xd;
simulaciones numéricas que servirán para comparar y validar las expresiones analíticas&#xd;
desarrolladas, obteniendo los efectos cuánticos.</dc:description>
      <dc:date>2014-10-31T10:18:28Z</dc:date>
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      <dc:date>2014-10-31</dc:date>
      <dc:type>info:eu-repo/semantics/masterThesis</dc:type>
      <dc:identifier>http://hdl.handle.net/10481/33515</dc:identifier>
      <dc:identifier>10.30827/Digibug.33515</dc:identifier>
      <dc:language>spa</dc:language>
      <dc:rights>info:eu-repo/semantics/openAccess</dc:rights>
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