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Calculation of the Ballistic Current of Few-Layer MoS2 Field-Effect Transistors

dc.contributor.authorGarcía Ruiz, Francisco Javier 
dc.contributor.authorBiel, Blanca
dc.contributor.authorGonzález-Medina, Jose María
dc.contributor.authorToral López, Alejandro 
dc.contributor.authorGonzález Marín, Enrique 
dc.contributor.authorTienda-Luna, Isabel María
dc.contributor.authorGodoy Medina, Andrés 
dc.date.accessioned2019-05-08T09:42:19Z
dc.date.available2019-05-08T09:42:19Z
dc.date.issued2015
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/55659
dc.language.isoenges_ES
dc.rightsAtribución-NoComercial-SinDerivadas 3.0 España*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es/*
dc.subjectMOSFETes_ES
dc.subjectBallistic Transportes_ES
dc.subjectMoS2es_ES
dc.titleCalculation of the Ballistic Current of Few-Layer MoS2 Field-Effect Transistorses_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferenceObjectes_ES
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_ES


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Nombre:
FGRuiz_Abstract.pdf
Tamaño:
75.14Kb
Formato:
PDF

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