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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10481/47680

Title: Point memoire ram a un transistor
Authors: Cristoloveanu, Sorin
Rodríguez Santiago, Noel
Gámiz Pérez, Francisco
Issue Date: 29-Apr-2011
Abstract: L'invention concerne un élément de mémoire constitué d'un transistor MOS ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), l'épaisseur de la région du corps étant divisée en deux régions distinctes (13, 14) séparés par une partie d'une couche isolante (16) s'étendant parallèlement au plan de la grille.
Sponsorship: Universidad de Granada
Centre National de la Recherche Scientifique
Publisher: Oficina Española de Patentes y Marcas
Description: Número de publicación: FR2944641 B1. Número de solicitud: 0952452.
Keywords: Memorias digitales
Programable
Eléctrica
UDC: G11C 16/02
URI: http://hdl.handle.net/10481/47680
Rights : Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License
Citation: Cristoloveanu, S.; Rodríguez Santiago, N.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2944641 B1 (2011). [http://hdl.handle.net/10481/47680]
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