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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10481/47679

Title: Point memoire ram a un transistor
Authors: Cristoloveanu, Sorin
Rodríguez Santiago, Noel
Gámiz Pérez, Francisco
Issue Date: 17-Jul-2015
Abstract: L'invention concerne une cellule de mémoire constituée d'un transistor MOS isolé ayant un drain (8), une source (7) et une région de corps recouverte d'une grille isolée (12), dans laquelle la région du corps est divisée par son épaisseur en deux des régions séparées (13, 14) de types de conductivité opposés s'étendant parallèlement au plan de la grille, la région de corps la plus proche de la grille ayant le type de conductivité opposé à celle du drain / source.
Sponsorship: Universidad de Granada
Centre National de la Recherche Scientifique
Publisher: Oficina Española de Patentes y Marcas
Description: Número de publicación: FR2958779 B1. Número de solicitud: 1052612.
Keywords: Memorias digitales
Celdas
UDC: G11C 11/417
URI: http://hdl.handle.net/10481/47679
Rights : Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License
Citation: Cristoloveanu, S.; Rodríguez Santiago, N.; Gámiz Pérez, F. Point memoire ram a un transistor [patente]. España: FR2958779 B1 (2015). [http://hdl.handle.net/10481/47679]
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