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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10481/33515

Title: Modelado analítico del potencial eléctrico y la carga en inversión en MOSFET de doble puerta nanométricos incluyendo efectos cuánticos
Authors: Urbano Mayorgas, Juan José
Direction: Roldán Aranda, Juan Bautista
Collaborator: Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores
Issue Date: 31-Oct-2014
Abstract: En este trabajo se va a desarrollar un modelo de potencial de superficie para DGMOSFETs que tiene en cuenta los efectos cuánticos. Para ello se realizarán simulaciones numéricas que servirán para comparar y validar las expresiones analíticas desarrolladas, obteniendo los efectos cuánticos.
Sponsorship: Universidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores. Máster Métodos y Técnicas Avanzadas en Física (MTAF)
Keywords: Double gate MOSFET (DGMOSFET)
MOSFET
Transistores de efecto de campo de puerta aislada
Dispositivos multipuerta
URI: http://hdl.handle.net/10481/33515
Appears in Collections:Proyectos Fin de Máster
DETC - Proyectos Fin de Máster

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