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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10481/28837

Title: Influencia de la concentración de centros profundos en las propiedades eléctricas de uniones P-N no abruptas : aplicación al sistema Si-Pt
Authors: Jiménez Tejada, Juan Antonio
Direction: Carceller Beltrán, Juan Enrique
Collaborator: Universidad de Granada.Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores
Tesis Univ. de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores
Issue Date: 1991
Abstract: Se han estudiado uniones graduales impurificadas con platino (difundido en un rango de temperatura 860 grados c-920 grados c). La espectroscopia de transitorios de niveles profundos, dlts, junto con un estudio teórico han permitido determinar el efecto de elegir un modelo apropiado para una estructura p-n y comprobar el efecto de altas concentraciones de centros profundos en este tipo de uniones. Bajo ciertas condiciones el modelo de unión abrupta no permite explicar resultados procedentes de medidas capacitivas asi como puede resultar incorrecta la interpretación normal de asociar cada máximo de dlts con un nivel de energía. Sin embargo, el modelo de una unión gradual con dos niveles profundos, como en el caso del platino, si interpreta todos los resultados. Además, toda la caracterización experimental y numérica sobre el platino en el silicio realizada a lo largo de este trabajo, nos indica que el platino en el silicio crea un centro tripolar.
Publisher: 
Description: p. 221-225
225 p. ; 30 cm
Keywords: Electrónica
UDC: 621.38
33
URI: http://hdl.handle.net/10481/28837
Rights : Creative Commons Attribution 3.0 License
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