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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/10481/28790

Title: Simulación y modelado de transistores MOS de doble puerta
Authors: Cartujo Cassinello, Pedro
Direction: López Villanueva, Juan Antonio
Collaborator: Universidad de Granada.Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores
Issue Date: 2000
Abstract: En este trabajo se hace un estudio del transistor MOS de doble puerta analizando las posibles ventajas de esta nueva estructura frene al transistor convencional y el transistor MOS SOI de puerta simple. Para ello se ha analizado una sección transversal de un transistor MOS de doble puerta de canal N, con el fin de examinar detalladamente las peculiaridades de la distribución de electrones con una amplia variedad de valores de todos los parámentros tecnológicos y condiciones de operación, y se ha estudiado las propiedades de trasnporte en el canal. Para las obtención de la distribución de electrones, se ha resuelto autoconsistentemente las ecuaciones de Poisson y Schrödinger en la estructura, dentro de las aproximaciones de Hartree y de masa efectiva. Para el estudio de las propeidades de transporte se calculará la movilidad de los electrones mediante el método de Monte Carlo. Los resultados de estas simulaciones se utilizarán también para verificar los efectos de los diferents parámetros tecnológicos en parámetros utilizados en modelos analíticos para la simulación de circuitos
Sponsorship: Univ. de Granada, Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores. Leída 25-09-00
Publisher: Granada
Keywords: Transistores
Semiconductores
UDC: 621.38
33
URI: http://hdl.handle.net/10481/28790
Rights : Creative Commons Attribution 3.0 License
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