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Simulación mediante el método de Monte Carlo y modelado del transporte electrónico en transistores mos de canal corto

dc.contributor.advisorGámiz Pérez, Francisco Jesús es_ES
dc.contributor.advisorLópez Villanueva, Juan Antonio es_ES
dc.contributor.authorRoldán Aranda, Juan Bautista es_ES
dc.date.accessioned2013-10-25T12:02:20Z
dc.date.available2013-10-25T12:02:20Z
dc.date.issued1997es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/28739
dc.description.sponsorshipUniv. Granada, Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores. Leída 22-01-1997es_ES
dc.format.extent313 p. : il. ; 25 cmes_ES
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisheres_ES
dc.rightsCreative Commons Attribution 3.0 Licensees_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/3.0es_ES
dc.subjectMétodos de simulación es_ES
dc.subjectMicroelectrónica es_ES
dc.subjectTransistores es_ES
dc.titleSimulación mediante el método de Monte Carlo y modelado del transporte electrónico en transistores mos de canal cortoes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesises_ES
dc.subject.udc621.38es_ES
dc.subject.udc33es_ES
europeana.typeTEXTes_ES
europeana.dataProviderUniversidad de Granada. España.es_ES
europeana.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es_ES
dc.type1Tesises_ES


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FCI_T_9_132.pdf
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