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Simulación de transistores Mosfet : corriente túnel de puerta, dispersión culombiana y autocalentamiento

dc.contributor.advisorGámiz Pérez, Francisco Jesús es_ES
dc.contributor.advisorPalma López, Alberto José es_ES
dc.contributor.authorJiménez Molinos, Francisco es_ES
dc.contributor.otherUniversidad de Granada.Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadoreses_ES
dc.date.accessioned2013-10-25T09:52:39Z
dc.date.available2013-10-25T09:52:39Z
dc.date.issued2002es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/28630
dc.description.sponsorshipUniv. Granada, Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores. Leída el 31-10-2002es_ES
dc.format.extentp. 215-230es_ES
dc.format.extent230 p. ; 30 cmes_ES
dc.format.mimetypeapplication/pdfes_ES
dc.language.isospaes_ES
dc.publisheres_ES
dc.rightsCreative Commons Attribution 3.0 Licensees_ES
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by/3.0es_ES
dc.subjectTransistores es_ES
dc.subjectIngeniería eléctricaes_ES
dc.subjectElectrónica es_ES
dc.titleSimulación de transistores Mosfet : corriente túnel de puerta, dispersión culombiana y autocalentamientoes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesises_ES
dc.subject.udc621.38es_ES
dc.subject.udc33es_ES
europeana.typeTEXTes_ES
europeana.dataProviderUniversidad de Granada. España.es_ES
europeana.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/es_ES
dc.type1Tesises_ES


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FCI_T_3_40.pdf
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