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dc.contributor.advisorCarceller Beltrán, Juan Enrique 
dc.contributor.authorJiménez Tejada, Juan Antonio 
dc.contributor.otherUniversidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadoreses_ES
dc.date.accessioned2013-04-29T07:47:42Z
dc.date.available2013-04-29T07:47:42Z
dc.date.issued2013
dc.date.submitted1991-09
dc.identifier.citationJiménez Tejada, J.A. Influencia de la concentración de centros profundos en las propiedades eléctricas de uniones P-N no abruptas : aplicación al sistema Si-Pt. Granada: Universidad de Granada, 2013. 225 p. [http://hdl.handle.net/10481/24834]es_ES
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/24834
dc.description.abstractSe han estudiado uniones graduales impurificadas con platino (difundido en un rango de temperatura 860 grados c-920 grados c). La espectroscopia de transitorios de niveles profundos, dlts, junto con un estudio teórico han permitido determinar el efecto de elegir un modelo apropiado para una estructura p-n y comprobar el efecto de altas concentraciones de centros profundos en este tipo de uniones. Bajo ciertas condiciones el modelo de unión abrupta no permite explicar resultados procedentes de medidas capacitivas asi como puede resultar incorrecta la interpretación normal de asociar cada máximo de dlts con un nivel de energía. Sin embargo, el modelo de una unión gradual con dos niveles profundos, como en el caso del platino, si interpreta todos los resultados. Además, toda la caracterización experimental y numérica sobre el platino en el silicio realizada a lo largo de este trabajo, nos indica que el platino en el silicio crea un centro tripolar.es_ES
dc.description.sponsorshipTesis Univ. Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadoreses_ES
dc.format.mimetypeapplication/pdfen_US
dc.language.isospaes_ES
dc.publisherUniversidad de Granadaes_ES
dc.rightsCreative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Licenseen_US
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/en_US
dc.subjectElectrónica es_ES
dc.titleInfluencia de la concentración de centros profundos en las propiedades eléctricas de uniones P-N no abruptas : aplicación al sistema Si-Ptes_ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesises_ES
dc.subject.udc621.38es_ES
dc.subject.udc33es_ES
europeana.typeTEXTen_US
europeana.dataProviderUniversidad de Granada. España.es_ES
europeana.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/en_US
dc.rights.accessRightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US


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