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Characterization, modelling and simulation of decananometer SOI MOSFETs

dc.contributor.advisorGámiz Pérez, Francisco Jesús en_US
dc.contributor.advisorCristoloveanu, Sorinen_US
dc.contributor.authorRodríguez Santiago, Noel en_US
dc.contributor.otherUniversidad de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadoresen_US
dc.contributor.otherInstitut National Polytechnique de Grenoble. Institut de Microélectronique, Électromagnétisme et Photoniqueen_US
dc.date.accessioned2009-11-03T13:38:35Z
dc.date.available2009-11-03T13:38:35Z
dc.date.issued2008en_US
dc.date.submitted2008en_US
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10481/1853
dc.descriptionContiene tres breves resúmenes en inglés, francés y español. Y además, incluye un amplio resumen de la tesis en francésen_US
dc.description.sponsorshipTesis Univ. Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores. Leída el 7 de abril de 2008en_US
dc.description.sponsorshipTesis Institut National Polytechnique de Grenoble. Institut de Microélectronique, Électromagnétisme et Photoniqueen_US
dc.format.mimetypeapplication/pdfen_US
dc.language.isoenen_US
dc.publisherGranada: Universidad de Granadaen_US
dc.rightsCreative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 License
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/
dc.subjectCircuitos integrados en_US
dc.subjectTransistores en_US
dc.titleCharacterization, modelling and simulation of decananometer SOI MOSFETsen_US
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/doctoralThesisen_US


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